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71V124HSA10TYI

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32
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文件大小116KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V124HSA10TYI概述

Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32

71V124HSA10TYI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1122333166
包装说明SOJ, SOJ32,.34
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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