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UH1DHE3/5AT

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小116KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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UH1DHE3/5AT概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

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New Product
UH1B, UH1C & UH1D
Vishay General Semiconductor
Surface Mount Ultrafast Rectifiers
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Oxide planar chip junction
• Ultrafast recovery times for high frequency
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 260 °C
DO-214AC (SMA)
• Solder dip 260 °C, 40 s
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
at I
F
= 1.0 A
T
J
max.
1.0 A
100 V, 150 V, 200 V
30 A
25 ns
0.76 V
175 °C
TYPICAL APPLICATIONS
For use in secondary rectification and freewheeling for
ultrafast switching speeds ac-to-ac and dc-to-dc
converters in high temperature conditions for both
consumer and automotive applications.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2
whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
SYMBOL
UH1B
HB
100
UH1C
HC
150
1.0
30
- 55 to + 175
UH1D
HD
200
V
A
A
°C
UNIT
Document Number: 89111
Revision: 12-Jun-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
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