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SMDA03-6

产品描述300 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小94KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SMDA03-6概述

300 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

SMDA03-6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码SOD
包装说明PLASTIC, SO-8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压4 V
最大钳位电压7.5 V
配置COMMON ANODE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散300 W
元件数量6
端子数量8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3.3 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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8700 E. Thomas Road
Scottsdale, AZ 85251
Tel: (480) 941-6300
Fax: (480) 947-1503
SMDA03-6
thru
SMDA24-6
TVSarray™ Series
DESCRIPTION (300 watt)
This TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (TVS) array is
packaged in an SO-8 configuration giving protection to 6
Unidirectional data or interface lines. It is designed for use in
applications where protection can be provided at the board level
from voltage transients caused by electrostatic discharge (ESD)
as defined in IEC 1000-4-2, electrical fast transients (EFT) per
IEC 1000-4-4 and effects of secondary lighting.
These TVS arrays have a peak power rating of 300 watts for an 8/20µsec pulse. This array is suitable for
protection of sensitive circuitry consisting of TTL, CMOS DRAM’s, SRAM’s, HCMOS, HSIC
microprocessors, and I/O transceivers. The SMDAXX-6 product provides board level protection from static
electricity and other induced voltage surges that can damage sensitive circuitry.
FEATURES
Protects up to 6 Unidirectional lines
Surge protection Per IEC 1000-4-2, IEC 1000-4-4
SO-8 Packaging
MECHANICAL
Molded SO-8 Surface Mount
Weight: 0.066 grams (approximate)
Marking: Logo, device number, date code
Pin #1 defined by DOT on top of package
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperatures: -55 C to +150 C
Storage Temperature: -55
0
C to +150
0
C
Peak Pulse Power: 300 Watts (8/20
µsec,
Figure 1)
Pulse Repetition Rate: <.01%
0
0
PACKAGING
Tape & Reel EIA Standard 481-1-A
13 inch reel 2,500, pieces (OPTIONAL)
Carrier tubes 95 pcs per (STANDARD)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER LINE @ 25
0
C Unless otherwise specified
STAND
OFF
VOLTAGE
V
WM
VOLTS
MAX
SMDA03-6
SMDA05-6
SMDA12-6
SMDA15-6
SMDA24-6
SDK6
SDA6
SDC6
SDE6
SDG6
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
BREAKDOWN
VOLTAGE
V
BR
@1 mA
VOLTS
MIN
4
6.0
13.3
16.7
26.7
CLAMPING
VOLTAGE
V
C
@ 1 Amp
(FIGURE 2)
VOLTS
MAX
7
9.8
19.0
24.0
43.0
CLAMPING
VOLTAGE
V
C
@ 5 Amp
(FIGURE 2)
VOLTS
MAX
9
11
24
30
55
LEAKAGE
CURRENT
I
D
@ V
WM
µA
MAX
200
20
1
1
1
CAPACITANCE
(f=1 MHz)
@0V
C
pF
TYP
800
550
185
140
88
TEMPERATURE
COEFFICIENT
OF V
BR
á
VBR
mV/°C
MAX
-3
3
10
13
30
PART
NUMBER
DEVICE
MARKING
NOTE:
TVS product is normally selected based on its stand off Voltage V
WM
. Product selected voltage
should be equal to or greater than the continuous peak operating voltage of the circuit to be protected.
Application:
The SMDAXX-6 product is designed for transient voltage suppression protection of ESD
sensitive components at the board level. It is an ideal product to be used for protection of I/O Transceivers.
MSC0332A.PDF
ISO 9001 CERTIFIED
REV M 7/06/2000

SMDA03-6相似产品对比

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描述 300 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MS-012AA
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
零件包装代码 SOD SOD SOD SOD SOD
包装说明 PLASTIC, SO-8 PLASTIC, SO-8 R-PDSO-G8 PLASTIC, SO-8 PLASTIC, SO-8
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknow unknow compli unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 4 V 26.7 V 16.7 V 13.3 V 6 V
最大钳位电压 7.5 V 55 V 30 V 24 V 11 V
配置 COMMON ANODE, 6 ELEMENTS COMMON ANODE, 6 ELEMENTS COMMON ANODE, 6 ELEMENTS COMMON ANODE, 6 ELEMENTS COMMON ANODE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值反向功率耗散 300 W 300 W 300 W 300 W 300 W
元件数量 6 6 6 6 6
端子数量 8 8 8 8 8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 3.3 V 24 V 15 V 12 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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