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GM76FV28SLT55

产品描述Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32,
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文件大小494KB,共13页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM76FV28SLT55概述

Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32,

GM76FV28SLT55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101225347
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000002 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.045 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
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