电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MS8512SCLM-70

产品描述SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, CDIP32
产品类别存储    存储   
文件大小419KB,共6页
制造商APTA Group Inc
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MS8512SCLM-70概述

SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, CDIP32

MS8512SCLM-70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1154968798
包装说明DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.003 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.184 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

MS8512SCLM-70相似产品对比

MS8512SCLM-70 MS8512SC-70 MS8512SC-55 MS8512SCMB-85 MS8512SCL-70 MS8512SCLMB-70 MS8512SCM-70
描述 SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, CDIP32 SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, CDIP32 SRAM Module, 512KX8, 55ns, CMOS, CDIP32 SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, CDIP32 SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, CDIP32 SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, CDIP32 SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, CDIP32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 70 ns 70 ns 55 ns 85 ns 70 ns 70 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T32 R-XDIP-T32 R-XDIP-T32 R-XDIP-T32 R-XDIP-T32 R-XDIP-T32 R-XDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
端子数量 32 32 32 32 32 32 32
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - - -55 °C - -55 °C -55 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.003 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.003 A 0.003 A 0.008 A
最小待机电流 2 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 2 V 2 V 4.5 V
最大压摆率 0.184 mA 0.184 mA 0.184 mA 0.184 mA 0.184 mA 0.184 mA 0.184 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Objectid 1154968798 - - - 1154968791 1154968801 1154968807
ECCN代码 3A001.A.2.C - - - 3A991.B.2.A 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 27  792  996  1279  1446 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved