DPS512S8PT-12C,DPS512S8PT-12C pdf中文资料,DPS512S8PT-12C引脚图,DPS512S8PT-12C电路-Datasheet-电子工程世界

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DPS512S8PT-12C: 产品描述SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP32; 产品类别存储存储; 文件大小409KB，共6页; 制造商B&B Electronics Manufacturing Company

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DPS512S8PT-12C概述

SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP32

DPS512S8PT-12C规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	101271548
包装说明	DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	120 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	8
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.00018 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

DPS512S8PT-12C相似产品对比

	DPS512S8PT-12C	DPS512S8PT-10C	DPS512S8PT-85I	DPS512S8PT-10I	DPS512S8PT-12I
描述	SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP32	SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32	SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, PDIP32	SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32	SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Objectid	101271548	101271502	101271652	101271671	101271689
包装说明	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	120 ns	100 ns	85 ns	100 ns	120 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8
端子数量	32	32	32	32	32
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.00018 A	0.00018 A	0.00034 A	0.00034 A	0.00034 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W