Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 113180486 |
包装说明 | DIP, DIP28,.3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 35 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 28 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.000075 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.095 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
TTS9225T-35C-3 | TTS9225G-25M-2 | |
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描述 | Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28 | Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CQCC28 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | DIP, DIP28,.3 | QCCN, LCC28,.35X.55 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最长访问时间 | 35 ns | 25 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 | R-XQCC-N28 |
内存密度 | 262144 bit | 262144 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 |
端子数量 | 28 | 28 |
字数 | 32768 words | 32768 words |
字数代码 | 32000 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
组织 | 32KX8 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | DIP | QCCN |
封装等效代码 | DIP28,.3 | LCC28,.35X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.000075 A | 0.000075 A |
最小待机电流 | 2 V | 2 V |
最大压摆率 | 0.095 mA | 0.12 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | QUAD |
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