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TLV2422QDRG4Q1

产品描述Automotive Advanced LinCMOS Rail-to-Rail Output Wide-Input-Voltage Micropower Dual Op Amps 8-SOIC -40 to 125
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小559KB,共29页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数

TLV2422QDRG4Q1在线购买

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TLV2422QDRG4Q1概述

Automotive Advanced LinCMOS Rail-to-Rail Output Wide-Input-Voltage Micropower Dual Op Amps 8-SOIC -40 to 125

TLV2422QDRG4Q1规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.0003 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00006 µA
最小共模抑制比70 dB
标称共模抑制比83 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00006 µA
最大输入失调电压1800 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-1.35/+-5/2.7/10 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.75 mm
最小摆率0.008 V/us
标称压摆率0.02 V/us
最大压摆率0.175 mA
供电电压上限12 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽46 kHz
最小电压增益6000
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1
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