Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, CMOS, CDIP8, CERDIP-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1418338270 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.1 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.025 µA |
| 最小共模抑制比 | 66 dB |
| 标称共模抑制比 | 60 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 7000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -6 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 25 V/us |
| 标称压摆率 | 40 V/us |
| 最大压摆率 | 0.5 mA |
| 供电电压上限 | 6 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 5000 kHz |
| 最小电压增益 | 2500 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| MAX403MJA | MAX439MJA | |
|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, CMOS, CDIP8, CERDIP-8 | Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, CMOS, CDIP8, CERDIP-8 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | CERDIP-8 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.1 µA | 0.1 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.025 µA | 0.025 µA |
| 最小共模抑制比 | 66 dB | 66 dB |
| 标称共模抑制比 | 60 dB | 60 dB |
| 频率补偿 | YES | YES (AVCL>=5) |
| 最大输入失调电压 | 7000 µV | 7000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 低-失调 | NO | NO |
| 微功率 | YES | YES |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 240 |
| 电源 | +-5 V | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 25 V/us | 40 V/us |
| 标称压摆率 | 40 V/us | 60 V/us |
| 最大压摆率 | 0.5 mA | 0.5 mA |
| 供电电压上限 | 6 V | 6 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 20 |
| 标称均一增益带宽 | 5000 kHz | 12000 kHz |
| 最小电压增益 | 2500 | 2500 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
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