SYD2129L-4,SYD2129L-4 pdf中文资料,SYD2129L-4引脚图,SYD2129L-4电路-Datasheet-电子工程世界

SYD2129L-4: 产品描述Standard SRAM, 2KX8, 200ns, MOS, CDIP24; 产品类别存储存储; 文件大小225KB，共4页; 制造商Synertek Inc

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SYD2129L-4概述

Standard SRAM, 2KX8, 200ns, MOS, CDIP24

SYD2129L-4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	101249052
包装说明	DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T24
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
端子数量	24
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大压摆率	0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

SYD2129L-4相似产品对比

	SYD2129L-4	SYC2129L-3	SYD2129-3	SYD2129L-3	SYC2129-4	SYC2129L-4	SYD2129-4
描述	Standard SRAM, 2KX8, 200ns, MOS, CDIP24	Standard SRAM, 2KX8, 150ns, MOS, CDIP24	Standard SRAM, 2KX8, 150ns, MOS, CDIP24	Standard SRAM, 2KX8, 150ns, MOS, CDIP24	Standard SRAM, 2KX8, 200ns, MOS, CDIP24	Standard SRAM, 2KX8, 200ns, MOS, CDIP24	Standard SRAM, 2KX8, 200ns, MOS, CDIP24
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Objectid	101249052	101249030	101249040	101249032	101249057	101249050	101249059
包装说明	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	150 ns	150 ns	150 ns	200 ns	200 ns	200 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T24	R-XDIP-T24	R-XDIP-T24	R-XDIP-T24	R-XDIP-T24	R-XDIP-T24	R-XDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
端子数量	24	24	24	24	24	24	24
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	0.08 mA	0.08 mA	0.1 mA	0.08 mA	0.1 mA	0.08 mA	0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

SYD2129L-4

SYD2129L-4概述

SYD2129L-4规格参数

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