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SMV2103

产品描述10 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小33KB,共1页
制造商Knox
官网地址http://www.knoxsemiconductor.com/
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SMV2103概述

10 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE

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PLASTIC SURFACE MOUNT
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
SMV2101 - SMV2115
PART
NUMBER
♦ ♦♦
SMV2101
SMV2102
SMV2103
SMV2104
SMV2105
SMV2106
SMV2107
SMV2108
SMV2109
SMV2110
SMV2111
SMV2112
SMV2113
SMV2114
SMV2115
CAPACITANCE
@ 4 Vdc
f = 1 MHz (pF)
6.8
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
56.0
68.0
82.0
100.0
MIN QUALITY FACTOR CAPACITANCE RATIO
Q @ 4 Vdc
f = 1 MHZ C•2V / C•30V
f = 50 MHz
MIN
450
2.5
450
2.5
400
2.5
400
2.5
400
2.5
350
2.5
350
2.5
300
2.5
200
2.5
150
2.5
150
2.5
150
2.6
150
2.6
100
2.6
100
2.6
AVAILABLE
IN THE FOLLOWING
PACKAGES
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -09, -15
-01, -09, -15
-01, -09, -15
-01, -09, -15
-01, -09, -15
DC Power Dissipation
Reverse Breakdown Voltage
Max Reverse Current (I
R
)
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Capacitance Tolerance:
@ Ta = 25°C
@ 10µA
@ Ta = 25° C
250 mW
30 V Min
0.1 µA @ 25 Vdc
-55 to + 125° C
-65 to + 150° C
±10%
♦♦♦
Package Styles
Requires adding a dash suffix number to the part number
SOT23 SINGLE
SOT23 Common Anode
TO-92 Two Terminal (TMV)
CHIPS
-08
-09
-15
-01
P.O. BOX 609
ROCKPORT, MAINE 04856
207-236-6076
FAX 207-236-9558

SMV2103相似产品对比

SMV2103 SMV2113 SMV2112
描述 10 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE 68 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE 56 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE

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