KM68U1000CLTI-7L,KM68U1000CLTI-7L pdf中文资料,KM68U1000CLTI-7L引脚图,KM68U1000CLTI-7L电路-Datasheet-电子工程世界

KM68U1000CLTI-7L: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32; 产品类别存储存储; 文件大小383KB，共8页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM68U1000CLTI-7L概述

Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1156993601
包装说明	TSSOP, TSSOP32,.8,20
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP32,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.00002 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40

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