RM222-090-262-2931,RM222-090-262-2931 pdf中文资料,RM222-090-262-2931引脚图,RM222-090-262-2931电路-Datasheet-电子工程世界

RM222-090-262-2931: 产品描述Board Connector, 90 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.075 inch Pitch, Wire Wrap Terminal, Hole .099-.111, Plug; 产品类别连接器连接器; 文件大小201KB，共2页; 制造商AirBorn

下载文档详细参数全文预览

RM222-090-262-2931概述

Board Connector, 90 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.075 inch Pitch, Wire Wrap Terminal, Hole .099-.111, Plug

带有以太网接口的蓄电池化成监控系统的设计: 蓄电池极板的化成丁艺是蓄电池生产过程中的重要一环。所谓化成是指过对极板充放电过程，即利用电化学反应使电能转化成化学能储存起来。蓄电池的化成充放电过程是一个在外加电压下复杂的化学反应过程，需要监控系统对极板电流电压值进行监视并对充放电参数不断调整。一般一个蓄电池生产厂有上十台甚至上百台化成充电机在各自控制系统的控制下同时运行，而这些控制系统通常以RS485／CAN总线连接，通过串口与上位机实现主从式...; 呱呱单片机

常见PCB微孔技术简介: [align=center][color=rgb(51, 51, 51)][font=-apple-system-font, BlinkMacSystemFont, "][size=17px]随着产品性能的提高，[/size][/font][/color][/align][align=center][color=rgb(51, 51, 51)][font=-apple-system-fon...; 捷多邦PCB技术 PCB设计

赛灵思Virtex-7 2000T FPGA和堆叠鬼片互联(SSI)技术常见问题解答: 1. 赛灵思今天宣布推出什么产品?　　赛灵思采用了称之为“堆叠硅片互联技术”的 3D 封装方法，该技术采用无源芯片中介层、微凸块和硅通孔 (TSV)技术，实现了多芯片可编程平台。对于那些需要高密度晶体管和逻辑、以及需要极大的处理能力和带宽性能的市场应用而言，这些28nm平台和单芯片方法相比，将提供更大的容量，更丰富的资源，并显著降低功耗。　　2. 赛灵思所谓的“超越摩尔定律”是什么意思?　　到目前...; 东风恶嵌入式系统

外部中断计数和定时器计数有什么区别: 实在没有弄明白外部中断计数和定时器计数有什么区别？两者都是可配置检测下降沿计数呀...; jiangjieqazwsx 51单片机

12864画图的问题: #include#define uchar unsigned charsbit rs=P3^5;sbit rw=P3^6;sbit e=P3^4;sbit psb=P3^7;void delayms(uchar delay) //延时 24m晶振{uchar i,j;for(i=delay;i>0;i--)for(j=255;j>0;j--);}void wdata(uchar w_data) /...; 472666316 单片机

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多