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MB81C79-45C

产品描述IC,SRAM,8KX9,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC
产品类别存储    存储   
文件大小506KB,共15页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB81C79-45C概述

IC,SRAM,8KX9,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC

MB81C79-45C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1167350506
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度73728 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度9
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

MB81C79-45C相似产品对比

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描述 IC,SRAM,8KX9,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PDIP28 IC,SRAM,8KX9,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC IC,SRAM,8KX9,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC IC,SRAM,8KX9,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC IC,SRAM,8KX9,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 45 ns 45 ns 35 ns 45 ns 55 ns 35 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 73728 bit 73728 bit 73728 bit 73728 bit 73728 bit 73728 bit 73728 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 9 9 9 9 9 9 9
端子数量 28 28 28 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX9 8KX9 8KX9 8KX9 8KX9 8KX9 8KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.6 DIP28,.3 DIP28,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.02 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
最大压摆率 0.12 mA 0.13 mA 0.13 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.09 mA 0.09 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Objectid 1167350506 - - 1167350511 1167350509 101249611 101249621
ECCN代码 EAR99 - - 3A001.A.2.C EAR99 EAR99 EAR99
最小待机电流 - 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V

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