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IRF6631TR1PBF

产品描述Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小260KB,共11页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF6631TR1PBF概述

Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)

IRF6631TR1PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
雪崩能效等级(Eas)13 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)13 A
最大漏源导通电阻0.0078 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N3
JESD-609代码e4
湿度敏感等级3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Silver/Nickel (Ag/Ni)
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF6631TR1PBF相似产品对比

IRF6631TR1PBF IRF6631TRPBF
描述 Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
雪崩能效等级(Eas) 13 mJ 13 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 13 A 13 A
最大漏源导通电阻 0.0078 Ω 0.0078 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XBCC-N3 R-XBCC-N3
JESD-609代码 e4 e4
湿度敏感等级 3 3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 100 A 100 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Silver/Nickel (Ag/Ni) Silver/Nickel (Ag/Ni)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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