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MR851

产品描述3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小249KB,共5页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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MR851概述

3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SOFT RECOVERY, FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIERS
MR850 - MR856
DO-201AD
Axial Lead Plastic
Package
Maximum Ratings (Ratings at T
a
= 25
o
C ambient temperature unless specified oterwise.
Resistive or inductive load, 60Hz)
DESCRIPTION
Repetitive Peak Reverse Voltage
RMS Voltage
DC Blocking Voltage
Average Forward Current
0.375" (9.5mm) Lead Length @ T
a
=50ºC
Peak Forward Surge Current 10ms Single Half
Sine-Wave Superimposed on Rated Load
Repetitive Peak Forward surge (Note 1)
Forward Voltage @ 3.0A
Dc Reverse Current @ T
a
=25ºC
Rated DC Blocking Voltage @ T
a
=100ºC
Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
(Note 4)
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
T
RR
C
j
R
th (j-a)
T
j
T
stg
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
I
FRM
V
F
I
R
MR850
50
35
50
MR851
100
70
100
MR852
200
140
200
3.0
100
1.0
1.25
10
500
150
60
15
- 55 to +125
- 55 to +150
MR854 MR856
400
280
400
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
A
V
µA
µA
ns
pF
ºC/W
ºC
ºC
Notes 1. Repetitive Peak Forward Surge Current @ f <15KHz
2. Reverse Recovery Test Conditions : I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
RR
= 0.25A
3. Measured @ 1MHz and Applied Reverse Voltage 0f 4.0 V
4. Thermal Resistance from Junction to ambient and from junction to Lead Length "0.375" (9.5mm) P.C.B.
mounted
MR850_856Rev110105E
Continental Device India Limited
Data Sheet
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MR851相似产品对比

MR851 MR854 MR856 MR850 MR852
描述 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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