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MJE181

产品描述3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小66KB,共3页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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MJE181概述

3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

3 A, 80 V, PNP, 硅, 功率晶体管, TO-126

MJE181规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流3 A
最大集电极发射极电压80 V
端子数量3
each_compliYes
状态Active
结构SINGLE
最小直流放大倍数12
jedec_95_codeTO-126
jesd_30_codeR-PSFM-T3
jesd_609_codee0
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
元件数量1
最大工作温度150 Cel
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
larity_channel_typePNP
wer_dissipation_max__abs_1.5 W
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装NO
端子涂层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
额定交叉频率50 MHz

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
TO-126 (SOT-32) Plastic Package
MJE170, MJE171, MJE172
MJE180, MJE181, MJE182
MJE170, 171, 172
MJE180, 181, 182
PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS
NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS
Low Power Audio Amplifier and Low Current, High Speed Switching Applications
PIN CONFIGURATION
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
1
2
3
ALL DIMENSIONS IN MM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current
Total power dissipation up to T
C
= 25°C
Junction temperature
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
D.C. current gain
I
C
= 100 mA; V
CE
= 1 V
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
T
j
V
CEsat
h
FE
170 171 172
180 181 182
max. 60
80 100
max. 40
60
80
max.
3.0
max.
12.5
max.
150
max.
min.
max.
170
180
max. 60
max. 40
max.
0.3
50
250
171
181
80
60
7.0
172
182
100
80
V
V
A
W
°C
V
RATINGS
(at T
A
=25°C unless otherwise specified)
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
V
CBO
V
CEO
V
EBO
V
V
V
Continental Device India Limited
Data Sheet
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MJE181相似产品对比

MJE181 MJE171 MJE172 MJE182 MJE170
描述 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
最大集电极电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
最大集电极发射极电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
端子数量 3 3 3 3 3
状态 Active Active Active DISCONTINUED Active
结构 SINGLE SINGLE SINGLE 单一的 SINGLE
最小直流放大倍数 12 12 12 12 12
元件数量 1 1 1 1 1
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR 矩形的 RECTANGULAR
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT 凸缘安装 FLANGE MOUNT
端子涂层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD MATTE 锡 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-孔 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE 单一的 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING 开关 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
额定交叉频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz
each_compli Yes Yes Yes - Yes
jedec_95_code TO-126 TO-126 TO-126 - TO-126
jesd_30_code R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3
jesd_609_code e0 e0 e0 - e0
moisture_sensitivity_level NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大工作温度 150 Cel 150 Cel 150 Cel - 150 Cel
eak_reflow_temperature__cel_ NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
larity_channel_type PNP PNP PNP - PNP
wer_dissipation_max__abs_ 1.5 W 1.5 W 1.5 W - 1.5 W
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL
sub_category Other Transistors Other Transistors Other Transistors - Other Transistors
表面贴装 NO NO NO - NO
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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