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MT16HTF25664AY-53E

产品描述DDR DRAM Module, 256MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA240,
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文件大小391KB,共21页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT16HTF25664AY-53E概述

DDR DRAM Module, 256MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA240,

MT16HTF25664AY-53E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1125505432
包装说明DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)267 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N240
JESD-609代码e3
内存密度17179869184 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织256MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
最大待机电流0.112 A
最大压摆率2.376 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

 
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