IXTT16N10D2,IXTT16N10D2 pdf中文资料,IXTT16N10D2引脚图,IXTT16N10D2电路-Datasheet-电子工程世界

IXTT16N10D2: 产品描述0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小188KB，共5页; 制造商IXYS ( Littelfuse ); 官网地址http://www.ixys.com/

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0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA

0.064 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-268AA

	IXTT16N10D2	IXTH16N10D2
描述	0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA	0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
端子数量	2	2
加工封装描述	PLASTIC, TO-268, 3 PIN	PLASTIC, TO-268, 3 PIN
无铅	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子涂层	PURE TIN	PURE TIN
端子位置	SINGLE	SINGLE
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	DRAIN	DRAIN
元件数量	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
通道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	DEPLETION	DEPLETION
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏极导通电阻	0.0640 ohm	0.0640 ohm

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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