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BC549A

产品描述NPN general purpose transistors
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小350KB,共5页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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BC549A概述

NPN general purpose transistors

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC549,A.B,C
BC550,A,B,C
TO-92
Plastic Package
For Lead Free Parts, Device
Part # will be Prefixed with
"T"
C
BE
Low Noise Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
a
=25ºC)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation at T
a
=25ºC
Derate Above 25ºC
Power Dissipation at T
c
=25ºC
Derate Above 25ºC
Operating And Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
Junction to Case
Junction to Ambient in free air
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
stg
BC549
30
30
5.0
100
625
5.0
1.5
12
- 55 to +150
BC550
45
50
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW/ºC
W
mW/ºC
ºC
R
th (j-c)
R
th (j-a)
83.3
200
ºC/W
ºC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
SYMBOL
V
CEO
TEST CONDITION
I
C
=1mA, I
B
=0
BC549
BC550
I
C
=100µA, I
E
=0
BC549
BC550
I
E
=10µA, I
C
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
CB
=30V, I
E
=0, T
a
= +125ºC
V
EB
=4V, I
C
=0
MIN
30
45
30
50
5.0
15
5.0
15
TYP
MAX
UNITS
V
V
V
V
V
nA
µA
nA
Collector Base Voltage
V
CBO
Emitter Base Voltage
Collector Cut Off Current
Emitter Cut Off Current
BC549_550Rev_1 081205E
V
EBO
I
CBO
I
EBO
Continental Device India Limited
Data Sheet
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