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BC485A

产品描述NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
文件大小348KB,共5页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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BC485A概述

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC485, A, B, L
BC487, A, B, L
BC489, A, B, L
TO-92
Plastic Package
C
BE
High Current Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
a
=25ºC)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation at T
a
=25ºC
Derate Above 25ºC
Power Dissipation at T
c
=25ºC
Derate Above 25ºC
Operating and Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
Junction to Case
Junction to Ambient in free air
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
stg
BC485
45
45
BC487
60
60
5.0
1.0
625
5.0
1,5
12
- 55 to +150
BC489
80
80
UNITS
V
V
V
A
W
mW/ºC
mW
mW/ºC
ºC
R
th (j-c)
R
th (j-a)
83.3
200
ºC/W
ºC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Cut Off Current
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
CBO
TEST CONDITION
I
C
=1mA, I
B
=0
I
C
=100µA, I
E
=0
I
E
=10µA, I
C
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
BC485
V
CB
=40V, I
E
=0
BC487
V
CB
=60V, I
E
=0,
BC489
I
C
=10mA, V
CE
=2V
I
C
=100mA, V
CE
=2V
BC485/487/489
BC485L/487L/489L
BC485A/487A/489A
BC485B/487B/489B
*I
C
=1A, V
CE
=5V
I
C
=500mA, I
B
=50mA
*I
C
=1A, I
B
=100mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
*I
C
=1A, I
B
=100mA
BC485
>45
>45
BC487
>60
>60
>5.0
<100
<100
<100
>40
60 - 400
60 - 150
100 - 250
160 - 400
>15
<0.50
TYP 0.30
<1.2
TYP 0.9
BC489
>80
>80
UNITS
V
V
V
nA
nA
nA
DC Current Gain
h
FE
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
V
CE (sat)
V
BE (sat)
V
V
V
V
*Pulse test:- Pulse Width =300µs, Duty Cycle 2%
µ
BC487_489Rev_1 280306E
Continental Device India Limited
Data Sheet
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haha丶 综合技术交流

 
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