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BC317B

产品描述NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
文件大小104KB,共5页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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BC317B概述

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC317/A/B
TO-92
Plastic Package
E
BC
Amplifier Transistor
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation @ T
a
=25ºC
Derate Above 25ºC
Power Dissipation @ T
c
=25ºC
Derate Above 25ºC
Operating and Storage Junction
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Junction to Case
Junction to Ambient in free air
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
stg
VALUE
45
50
6.0
150
350
2.8
1.0
8.0
- 55 to +150
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW/ºC
W
mW/ºC
ºC
R
th (j-c)
R
th (j-a)
125
357
ºC/W
ºC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
TEST CONDITION
V
CEO
I
C
=1mA, I
B
=0
Collector Emitter Voltage
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Cut off Current
Emitter Cut off Current
Base Emitter On Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
V
BE (on)
V
CE (sat)
V
BE (sat)
h
FE
I
C
=100µA, V
BE
=0
I
C
=100µA, I
E
=0
I
E
=100µA, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
= 0
V
EB
=4V, I
C
= 0
I
C
=2mA, V
CE
=5V
I
C
=10mA, V
CE
=5V
I
C
=100mA, I
B
=5mA
I
C
=10mA, I
B
=0.5mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
I
C
=10µA, V
CE
=5V
BC317A
BC317B
I
C
=2mA, V
CE
=5V
BC317
BC317A
BC317B
MIN
45
50
50
6.0
TYP
MAX
UNITS
V
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
0.57
30
15
0.72
0.77
0.60
0.70
0.85
90
40
110
110
200
450
220
450
BC317_A_B_Rev220103E
Continental Device India Limited
Data Sheet
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BC317B BC317A BC317
描述 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
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