LS SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDIP14
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-14 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| Is Samacsys | N |
| 系列 | LS |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.495 mm |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 功能数量 | 3 |
| 输入次数 | 3 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 3.3 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 15 ns |
| 传播延迟（tpd） | 15 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SN54LS10J | 74LS10 | SN74LS10N | SN74LS10D | SN54-74LS10 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | LS SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDIP14 | LS SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, PDSO14 | LS SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, PDSO14 | LS SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, PDSO14 | LS SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, PDSO14 |
| 系列 | LS | LS | LS | LS | LS |
| 功能数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 14 | 14 | 14 |
| 表面贴装 | NO | Yes | NO | YES | Yes |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | - |
| 零件包装代码 | DIP | - | DIP | SOIC | - |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-14 | - | DIP, DIP14,.3 | SOP, SOP14,.25 | - |
| 针数 | 14 | - | 14 | 14 | - |
| Reach Compliance Code | _compli | - | not_compliant | _compli | - |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | - | R-PDIP-T14 | R-PDSO-G14 | - |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | - |
| 长度 | 19.495 mm | - | 18.86 mm | 8.65 mm | - |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | - | NAND GATE | NAND GATE | - |
| 最大I（ol） | 0.004 A | - | 0.008 A | 0.008 A | - |
| 输入次数 | 3 | - | 3 | 3 | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | - | 70 °C | 70 °C | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | DIP | - | DIP | SOP | - |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | - | DIP14,.3 | SOP14,.25 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | - | 235 | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | 5 V | - | 5 V | 5 V | - |
| 最大电源电流（ICC） | 3.3 mA | - | 3.3 mA | 3.3 mA | - |
| 传播延迟（tpd） | 15 ns | - | 15 ns | 15 ns | - |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 施密特触发器 | NO | - | NO | NO | - |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 4.69 mm | 1.75 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.25 V | 5.25 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.75 V | 4.75 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | 5 V | - |
| 技术 | TTL | - | TTL | TTL | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 1.27 mm | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm | 3.9 mm | - |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 | 1 | - |
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