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BR24L08FVM-W: 产品描述1024】8 bit electrically erasable PROM; 产品类别存储存储; 文件大小390KB，共25页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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BR24L08FVM-W概述

1024】8 bit electrically erasable PROM

BR24L08FVM-W规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码	MSOP
包装说明	ROHS COMPLIANT, MSOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DMMR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e2
长度	2.9 mm
内存密度	8192 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.16
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.095 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE

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Memory ICs

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

1024×8 bit electrically erasable PROM

BR24L08-W / BR24L08F-W / BR24L08FJ-W /

BR24L08FV-W / BR24L08FVM-W

The BR24L08-W series is 2-wire (I

C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

∗

I C BUS is a registered trademark of Philips.

Applications

General purpose

Features

1) 1024 registers

8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 16byte Page Write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.5mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA (Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin).

Inhibit to WRITE at low V

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure.

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL

•

SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

−0.3

+6.5

800(DIP8)

450(SOP8)

Power dissipation

450(SOP-J8)

300(SSOP-B8)

310(MSOP8)

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

∗1

∗2

∗3

∗4

Unit

∗1

∗2

∗3

∗4

Tstg

Topr

−

−65

+125

−40

+85

−0.3

to V

+0.3

°C

Reduced by 8.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

Reduced by 4.5mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

Reduced by 3.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

Reduced by 3.1mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

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BR24L08FVM-W相似产品对比

	BR24L08FVM-W	BR24L08FV-W
描述	1024】8 bit electrically erasable PROM	1024】8 bit electrically erasable PROM
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码	MSOP	SOIC
包装说明	ROHS COMPLIANT, MSOP-8	ROHS COMPLIANT, SSOP-8
针数	8	8
Reach Compliance Code	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DMMR	1010DMMR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e2	e2
长度	2.9 mm	4.4 mm
内存密度	8192 bi	8192 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8
功能数量	1	1
端子数量	8	8
字数	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	1KX8	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	LSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.16	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
电源	2/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.095 mm	1.5 mm
串行总线类型	I2C	I2C
最大待机电流	0.000002 A	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10
宽度	2.8 mm	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms
写保护	HARDWARE	HARDWARE

BR24L08FVM-W

BR24L08FVM-W概述

BR24L08FVM-W规格参数

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