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EDI8F321024C35MZC

产品描述SRAM Module, 4MX8, 35ns, CMOS,
产品类别存储    存储   
文件大小235KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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EDI8F321024C35MZC概述

SRAM Module, 4MX8, 35ns, CMOS,

EDI8F321024C35MZC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1546618321
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间35 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 1M X 32
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-N72
JESD-609代码e0
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量72
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP72/76,.1,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.08 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率1.88 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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