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GC9922-QR1-129C

产品描述Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小615KB,共5页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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GC9922-QR1-129C概述

Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon

GC9922-QR1-129C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid4016604972
包装说明S-CQMW-F4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置RING, 4 ELEMENTS
最大二极管电容0.15 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.46 V
频带X BAND
JESD-30 代码S-CQMW-F4
JESD-609代码e0
元件数量4
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型LOW BARRIER

 
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