Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, FP-36
| 参数名称 | 属性值 |
| Objectid | 1516190305 |
| 包装说明 | DFP, FL36,.6,25 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.1.A |
| 最长访问时间 | 55 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDFP-F36 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 16.005 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 36 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL36,.6,25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38534 Class H |
| 座面最大高度 | 3.81 mm |
| 最大待机电流 | 0.0003 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 0.635 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 1M Rad(Si) V |
| 5962H3829442Q9C | 5962H3829443Q9C | 5962H3829443V9C | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, FP-36 | Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, FP-36 | Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, FP-36 |
| Objectid | 1516190305 | 1516187190 | 1516185483 |
| 包装说明 | DFP, FL36,.6,25 | DFP, FL36,.6,25 | DFP, FL36,.6,25 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.1.A | 3A001.A.1.A | 3A001.A.1.A |
| 最长访问时间 | 55 ns | 55 ns | 55 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDFP-F36 | R-XDFP-F36 | R-XDFP-F36 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 |
| 长度 | 16.005 mm | 16.005 mm | 16.005 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 36 | 36 | 36 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DFP | DFP | DFP |
| 封装等效代码 | FL36,.6,25 | FL36,.6,25 | FL36,.6,25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | FLATPACK | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38534 Class H | MIL-PRF-38534 Class H | MIL-PRF-38534 Class H |
| 座面最大高度 | 3.81 mm | 3.81 mm | 3.81 mm |
| 最大待机电流 | 0.0003 A | 0.0003 A | 0.0003 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.11 mA | 0.11 mA | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD | GOLD | GOLD |
| 端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT |
| 端子节距 | 0.635 mm | 0.635 mm | 0.635 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 1M Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V |
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