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BR24C08-WMN6TP

产品描述Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type
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文件大小321KB,共6页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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BR24C08-WMN6TP概述

Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type

BR24C08-WMN6TP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DMMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度4.9 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度1
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流5e-7 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

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