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MUR610CT

产品描述RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小810KB,共2页
制造商EMMICRO
官网地址http://www.emmicroelectronic.com
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MUR610CT概述

RECTIFIER DIODE

整流二极管

MUR610CT规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
二极管类型RECTIFIER DIODE

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Features
Glass passivated chip
Superfast switching time for hight efficiency
Low reverse leakage current
High surge capacity
MUR605CT
THRU
MUR660CT
6 Amp Super Fast
Glass Passivated
Rectifier
50 to 600 Volts
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Microsemi
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
TO-220AB
B
F
4
A
U
1 2
H
K
PIN 1.
PIN 2.
PIN 3.
PIN 4.
ANODE
CATHODE
ANODE
CATHODE
C
S
Q
T
MUR605CT
MUR610CT
MUR620CT
MUR640CT
MUR660CT
MUR605CT
MUR610CT
MUR620CT
MUR640CT
MUR660CT
35V
70V
140V
280V
420V
3
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
605CT-620CT
640CT- 660CT
I
F(AV)
I
FSM
6A
75A
T
C
= 130°C
8.3ms, half sine
L
G
N
V
D
J
R
V
F
I
FM
= 3 A per
.975V element;
1.25 V T
A
= 25°C*
5.0uA
50uA
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
I
F
=8.0A,
I
rr
=0.25A
35ns
60ns
75ns


A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
Q
R
S
T
U
V

MM

14.48
9.66
4.06
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.14
2.54
2.04
1.14
5.97
-----
1.15


15.75
10.28
4.82
0.89
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
3.04
2.79
1.39
6.48
1.27
-------
 
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
605CT- 620
640CT
I
R
T
rr
INCHES



.570
.620
.380
.405
.160
.190
.025
.035
.142
.147
.095
.105
.110
.155
.018
.025
.500
.562
.045
.060
.100
.120
.080
.110
.045
.055
.235
------
.045
.255
.050
------
660CT
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
http://www.kersemi.com

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