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SA58C

产品描述500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小193KB,共4页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
标准
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SA58C概述

500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

SA58C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称New Jersey Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, PRSM-MIN
最大击穿电压78.7 V
最小击穿电压64.4 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
最大重复峰值反向电压58 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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C/
J.EIIE.U <^>£.mi-L,onau.ctoi
t/
On*.
TELEPHONE: (973) 376-2922
20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A.
(212)227-6005
FAX: (973) 376-8960
SA5.0C-SA170CA
VBR : 6.8 - 200 Volts
PPK : 500 Watts
FEATURES:
*
*
*
*
500W surge capability at 1ms
Excellent clamping capability
Low zener impedance
Fast response time : typically less
then 1.0 ps from 0 volt to V
BR(mjn (
* Typical I
R
less then 1|iA above 10V
* Pb / RoHS Free
BIDIRECTIONAL TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSOR
DO-41
T
0.107 (2.74)
0.080 (2.03)
0(2!
-
MIN.
MIN
\)
0.205 (5.20)
0.160(4.10)
\!
1.00(25.4)
0.034 (0.86)
0.028(0.71)
MIN.
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
* Mounting position : Any
* Weight: 0.339 gram
_L
Dimensions in inches and (millimeters)
DEVICES FOR UNIPOLAR APPLICATIONS
For uni-directional without "C"
Electrical characteristics apply in both directions
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Power Dissipation at Ta = 25 °C, Tp=1ms (Notel)
Steady State Power Dissipation at Tu = 75 °C
Symbol
PPK
Value
Minimum 500
Unit
w
w
°c
PD
3.0
Lead Lengths 0.375", (9.5mm) (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
- 6 5 t o + 175
Note :
(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 2 and derated above Ta = 25 °C per Fig. 1
NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without
notice. Information furnished by NJ Semi-Conductors is believed to be both accurate and reliable at the time of going
to press. However. NJ Semi-Conductors assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
NJ Semi-Conductors encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.
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