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BR211-180

产品描述MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小31KB,共7页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BR211-180概述

MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB

BR211-180规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大转折电压202 V
最大维持电流150 mA
JESD-609代码e0
最大通态电压2.5 V
最高工作温度70 °C
重复峰值反向电压158 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型SILICON SURGE PROTECTOR

BR211-180相似产品对比

BR211-180 BR211 BR211-240 BR211-200 BR211-260 BR211-220 BR211-280
描述 MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB MOSFET N-CH 500V 1A TO-220 Breakover diodes MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 Breakover diodes Breakover diodes
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) - Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow unknow unknow
最大转折电压 202 V - 269 V 224 V 292 V 247 V 314 V
最大维持电流 150 mA - 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0 e0 e0
最大通态电压 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
重复峰值反向电压 158 V - 211 V 176 V 228 V 193 V 246 V
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型 SILICON SURGE PROTECTOR - SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR

 
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