IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 1000 ns, CDIP16, Static RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 1000 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1024 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 256 words |
| 字数代码 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256X4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| 2112F | 2612B | 2112-2F | 2112-2B | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 1000 ns, CDIP16, Static RAM | IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 400 ns, PDIP16, Static RAM | IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 650 ns, CDIP16, Static RAM | IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 650 ns, PDIP16, Static RAM |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 1000 ns | 400 ns | 650 ns | 650 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | R-PDIP-T16 | R-GDIP-T16 | R-PDIP-T16 |
| 内存密度 | 1024 bi | 1024 bit | 1024 bit | 1024 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 字数 | 256 words | 256 words | 256 words | 256 words |
| 字数代码 | 256 | 256 | 256 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256X4 | 256X4 | 256X4 | 256X4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | NO | NO | NO | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 厂商名称 | - | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
嵌入式系统
嵌入式系统
嵌入式系统
单片机
嵌入式系统
模拟电子
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
