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GDMBZ5226B

产品描述ZENER DIODES
文件大小820KB,共9页
制造商ETL [E-Tech Electronics LTD]
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GDMBZ5226B概述

ZENER DIODES

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ISSUED DATE :2004/11/15
REVISED DATE :
GDMBZ5221B~GDMBZ5270B
Description
ZENER DIODES
Package Dimensions
REF.
A
A1
A2
D
E
HE
Millimeter
Min.
Max.
0.85
1.05
0
0.10
0.80
1.00
1.15
1.45
1.60
1.80
2.30
2.70
REF.
L
b
c
Q1
Millimeter
Min.
Max.
0.20
0.25
0.10
0.40
0.40
0.18
0.15 BSC.
Thermal Characteristics
Characteristics
Total Device Dissipation FR-5 Board
Ta=25 ‘ , Derate above 25 ‘
Total Device Dissipation
Alumina Substrate**TA=25 ‘ , Derate above 25 ‘
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
*FR-5 - 1.0 0.75 0.062 in. **Alumina-0.4 0.3
Symbol
PD
PD
R JA
Tj,Tstg
0.024 in. 99.5% alumina.
Max
225
1.8
300
2.4
417
-55 to +150
Unit
mW
mW/ ‘
mW
mW/ ‘
‘ /W
Thermal Characteristics
(V
F
=0.9V Max @
I
F
=10mA for all types.)
Device
GDMBZ5221B
GDMBZ5222B
GDMBZ5223B
GDMBZ5224B
GDMBZ5225B
GDMBZ5226B
GDMBZ5227B
GDMBZ5228B
GDMBZ5229B
GDMBZ5230B
GDMBZ5231B
GDMBZ5232B
GDMBZ5233B
GDMBZ5234B
GDMBZ5235B
GDMBZ5236B
GDMBZ5237B
GDMBZ5238B
GDMBZ5239B
GDMBZ5240B
Marking
Code
1A
1B
1C
1D
1E
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
Test
Current
IZT(mA)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
Min
2.280
2.375
2.565
2.660
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.700
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
Zener Voltage
Vz(V)
Nominal
Max
2.4
2.520
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
2.625
2.835
2.940
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.300
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.500
ZZK
IZ=0.25mA
Æ Max
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
ZZT
IZ=IZT
Æ Max
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
17
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
Max. Reverse
Current
IR(uA)
@VR(V)
100
1.0
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
1/9
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