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25C640T-E/SNG

产品描述8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
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文件大小402KB,共12页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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25C640T-E/SNG概述

8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8

25C640T-E/SNG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES
最大时钟频率 (fCLK)3 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型SPI
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
Base Number Matches1
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