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SMBJ5.0

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共4页
制造商Juxing Electronic
官网地址http://www.trr-jx.com
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SMBJ5.0概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

600 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-214AA

SMBJ5.0规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
最大击穿电压7.82 V
最小击穿电压6.4 V
加工封装描述塑料, SMB, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
工艺AVALANCHE
结构单一的
二极管元件材料
极性单向
二极管类型TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
关闭电压5 V
最大非重复峰值转速功率600 W

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SMBJ5.0 THRU SMBJ188A
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
Features
For surface mounted applications in
order to optimize board space
Low profile space
Glass passivated chip
Low inductance
Excellent clamping capability
Very fast response time
Typical I
D
less than 1µA at V
WM
600W peak pulse power capability
with a 10/1000 µs waveform
Component in accordance to
RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC
Mechanical Date
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
over passivated chip
Terminals: Solder plated, solderable per
MIL-STD-750 Method 2026
Polarity: For uni-directional types the band
by laser denotes the cathode, which is
positive with respect to the anode under
normal TVS operation
Devices for Bidirectional Applications
For bi-directional devices, use suffix C or CA (e.g.SMBJ10C, SMBJ10CA).
Electrical characteristics apply in both directions.
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Symbol
Peak pulse power dissipation
with a 10/1000µs waveform (see fig. 1)
Peak pulse current
with a waveform (see fig. 3 , single pulse)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave uni-directional only
Typical thermal resistance, junction to ambient
Typical thermal resistance, junction to lead
Operating junction and storage temperature range
P
PPM
I
PPM
I
FSM
R
θJA
R
θJL
T
J
T
STG
VALUE
600
See Next Table
100
100
20
–55 to +150
UNIT
W
A
A
°C / W
°C / W
°C
http://www.trr-jx.com
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