电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SMBJ26

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共4页
制造商Juxing Electronic
官网地址http://www.trr-jx.com
下载文档 全文预览

SMBJ26在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SMBJ26 - - 点击查看 点击购买

SMBJ26概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

文档预览

下载PDF文档
SMBJ5.0 THRU SMBJ188A
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
Features
For surface mounted applications in
order to optimize board space
Low profile space
Glass passivated chip
Low inductance
Excellent clamping capability
Very fast response time
Typical I
D
less than 1µA at V
WM
600W peak pulse power capability
with a 10/1000 µs waveform
Component in accordance to
RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC
Mechanical Date
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
over passivated chip
Terminals: Solder plated, solderable per
MIL-STD-750 Method 2026
Polarity: For uni-directional types the band
by laser denotes the cathode, which is
positive with respect to the anode under
normal TVS operation
Devices for Bidirectional Applications
For bi-directional devices, use suffix C or CA (e.g.SMBJ10C, SMBJ10CA).
Electrical characteristics apply in both directions.
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Symbol
Peak pulse power dissipation
with a 10/1000µs waveform (see fig. 1)
Peak pulse current
with a waveform (see fig. 3 , single pulse)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave uni-directional only
Typical thermal resistance, junction to ambient
Typical thermal resistance, junction to lead
Operating junction and storage temperature range
P
PPM
I
PPM
I
FSM
R
θJA
R
θJL
T
J
T
STG
VALUE
600
See Next Table
100
100
20
–55 to +150
UNIT
W
A
A
°C / W
°C / W
°C
http://www.trr-jx.com
usb3300 与 fpga 连接的ip core,
usb3300 使用 ulpr 支持usb2.0 , 我希望连接fpga 我曾经实现了 fpga 与ch372/375 的通讯。 我终于找到了 usb3300 与 fpga 的ip core. 但verilog 文件很多,一时看不懂。 有同样兴趣的一起来 ......
liwenz FPGA/CPLD
白菜问题:wince中如何判断nandflash是exfat,还是TFAT格式?
在wince中如何判断flash格式为exfat还是fat,还是tfat文件格式?...
marchz 嵌入式系统
看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值
转自:deyisupport 在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷),其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可(IDA、SOA曲 ......
okhxyyo 模拟与混合信号
STM32,51,上位机程序代写
STM32,51,上位机程序代写。有意向者请咨询QQ945116700.或短信 18990598335 ...
duolinduo stm32/stm8
【求助】P1DIR |=0x01与P1DIR |=BIT0+BIT4区别?
我看到胡大可老师那本书上定义P1.0为输出用上面两种方式,但是这两个值不一样啊?0x01和BIT0+BIT4(BIT0=0x0001,BIT4=0x0010)...
ccqingzhi 微控制器 MCU
有关定制及使用IP核
出现以下错误是因为:(希望高人指点下,谢谢) Error: Node instance "i_mc8051_ram" instantiates undefined entity "mc8051_ram" Error: Quartus II Analysis & Synthesis was unsuccessfu ......
emnqsu FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1691  2370  2328  401  2473  35  48  47  9  50 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved