电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

P6KE130AG

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

P6KE130AG在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
P6KE130AG - - 点击查看 点击购买

P6KE130AG概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

600 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管

P6KE130AG规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明O-PALF-W2
针数0
制造商包装代码017AA
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压137 V
最小击穿电压124 V
击穿电压标称值130.5 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压179 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压111 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

P6KE130AG相似产品对比

P6KE130AG P6KE15AG P6KE43AG P6KE51AG P6KE12ARLG
描述 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
Brand Name ON Semiconduc ON Semiconduc ON Semiconduc ON Semiconduc ON Semiconduc
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
制造商包装代码 017AA 017AA 017AA 017AA 017AA
Reach Compliance Code _compli _compli _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压 137 V 15.8 V 45.2 V 53.6 V 12.6 V
最小击穿电压 124 V 14.3 V 40.9 V 48.5 V 11.4 V
击穿电压标称值 130.5 V 15.05 V 43.05 V 51.05 V 12 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大钳位电压 179 V 21.2 V 59.3 V 70.1 V 16.7 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
最大非重复峰值反向功率耗散 600 W 600 W 600 W 600 W 600 W
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 175 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 5 W 5 W 5 W 5 W 5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 111 V 12.8 V 36.8 V 43.6 V 10.2 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40
Factory Lead Time 1 week 1 week 1 week 1 week -

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 785  843  952  1098  1539 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved