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IXFR64N50P

产品描述Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共5页
制造商IXYS
标准  
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IXFR64N50P概述

Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN

IXFR64N50P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid2060147032
零件包装代码TO-247AD
包装说明PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
针数3
制造商包装代码ISOPLUS
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas)2500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)37 A
最大漏极电流 (ID)37 A
最大漏源导通电阻0.095 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)150 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IXFR64N50P相似产品对比

IXFR64N50P
描述 Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
Objectid 2060147032
零件包装代码 TO-247AD
包装说明 PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
针数 3
制造商包装代码 ISOPLUS
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas) 2500 mJ
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 37 A
最大漏极电流 (ID) 37 A
最大漏源导通电阻 0.095 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 150 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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