电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MUR190

产品描述1 A, 900 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小257KB,共3页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
下载文档 全文预览

MUR190在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
MUR190 - - 点击查看 点击购买

MUR190概述

1 A, 900 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15

文档预览

下载PDF文档
MUR120-MUR190
Super Fast Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 200 --- 900 V
CURRENT: 1.0 A
Features
Low cos t
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Eas ily cleaned with alcohol,Is opropanol
and s im ilar s olvents
The plas tic m aterial carries U/L recognition 94V-0
DO - 41
Mechanical Data
Cas e:JEDEC DO--41,m olded plas tic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012 ounces ,0.34 gram s
Mounting pos ition: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,60 Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
MUR MUR
120 130
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average f orw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
Peak f orw ard surge current
8.3ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
Maximum instantaneous f orw ard voltage
@ 1.0A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
Storage temperature range
N OTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MH z and applied rev erse v oltage of 4.0V D C .
3. Therm al res istanc e f rom junction to am bient.
MUR MUR MUR
140
150
160
400
280
400
500
350
500
1.0
600
420
600
MUR
170
700
490
700
MUR
180
800
560
800
MUR
UNITS
190
900
630
900
V
RRM
V
R MS
V
DC
I
F(AV)
200
140
200
300
210
300
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.875
2.0
50
35.0
A
1.25
5.0
150
1.7
10.0
100
75
15
60
V
A
ns
pF
/W
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
(Note3)
25
22
50
50
Operating junction temperature range
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
http://www.luguang.cn
Email:lge@luguang.cn
非接触IC卡的几个问题
1、非接触IC卡的能量供应 非接触IC卡是用一个电子数据作载体,通常由单个微型芯片以及用作天线用的大面积的线圈等组成。在这个数据载体上,存储的数据量可达数千字节。 非接触IC卡 ......
Jacktang 无线连接
Timer实验中TCR的配置
在CCS3.3自带的Timer例程中,配置TCR寄存器中域值,采用的是如下的方式#define TIMER_CTRL TIMER_TCR_RMK(\ TIMER_TCR_IDLEEN_DEFAULT, /* IDLEEN == 0 */ \ ......
mengyang DSP 与 ARM 处理器
C/C++中的实参和形参
本帖最后由 tiankai001 于 2014-10-30 23:29 编辑 C/C++中的实参和形参 实参和形参,很抽象的一个概念,新手很难搞懂。其实各种书籍把他讲得很明白,但是就是看不懂。中国人就喜欢把简单的 ......
tiankai001 下载中心专版
谁有TI M4 DEMO板自带程序
谁有TI M4 DEMO板自带程序,就是那个测量加速度、温度、电流、外部通道等的程序。TI官网没有找到,哪位大侠有上传一下。...
woody_chen 微控制器 MCU
EEWORLD大学堂----高压隔离技术如何工作 - 电容结构
高压隔离技术如何工作 - 电容结构:https://training.eeworld.com.cn/course/5280...
hi5 聊聊、笑笑、闹闹
【求教】一个液晶CGRAM的读写问题
我的控制器是T6963,我现在文本模式下显示汉字。下面是我的一段代码: /***************************************************************************** 函数功能:将str所指的一个字的字 ......
zxinqiao 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2001  649  1769  1255  2297  9  31  3  23  25 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved