BCW68H概述

800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236

800 mA, 45 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-236

BCW68H规格参数

参数名称	属性值
最大集电极电流	0.8000 A
最大集电极发射极电压	45 V
端子数量	3
加工封装描述	SOT-23, 3 PIN
欧盟RoHS规范	Yes
状态	Active
结构	SINGLE
最小直流放大倍数	100
jedec_95_code	TO-236
jesd_30_code	R-PDSO-G3
jesd_609_code	e3
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
元件数量	1
最大工作温度	150 Cel
包装材料	PLASTIC/EPOXY
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
larity_channel_type	PNP
wer_dissipation_max__abs_	0.3500 W
qualification_status	COMMERCIAL
sub_category	Other Transistors
表面贴装	YES
端子涂层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
额定交叉频率	200 MHz

	BCW68H	BCW68F	BCW68G
描述	800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
状态	Active	ACTIVE	ACTIVE
晶体管类型	-	RF SMALL SIGNAL	RF SMALL SIGNAL

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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