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BCW60D概述

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

射频小信号晶体管

BCW60D规格参数

参数名称	属性值
状态	ACTIVE
晶体管类型	RF SMALL SIGNAL

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BCW60D相似产品对比

	BCW60D	BCW60A	BCW60B	BCW60C
描述	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
状态	ACTIVE	TRANSFERRED	TRANSFERRED	ACTIVE
晶体管类型	RF SMALL SIGNAL	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL	GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
端子数量	-	3	3	3
晶体管极性	-	NPN	NPN	NPN
最大导通时间	-	150 ns	150 ns	150 ns
最大关断时间	-	800 ns	800 ns	800 ns
最大集电极电流	-	0.1000 A	0.1000 A	0.1000 A
最大集电极发射极电压	-	32 V	32 V	32 V
包装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	-	Yes	Yes	Yes
端子形式	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	-	DUAL	DUAL	DUAL
包装材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
结构	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
元件数量	-	1	1	1
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON
最大环境功耗	-	0.2500 W	0.2500 W	0.2500 W
最小直流放大倍数	-	50	50	90
额定交叉频率	-	250 MHz	250 MHz	250 MHz

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