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UT3006L-K08-5060-R

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小211KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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UT3006L-K08-5060-R概述

Power Field-Effect Transistor

UT3006L-K08-5060-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1285978602
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)55 A
最大漏极电流 (ID)55 A
最大漏源导通电阻0.009 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-N5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)21 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)160 A
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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