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YTS2222ATE85L

产品描述TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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YTS2222ATE85L概述

TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal

YTS2222ATE85L规格参数

参数名称属性值
Objectid1407711683
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
基于收集器的最大容量8 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)285 ns
最大开启时间(吨)35 ns
VCEsat-Max1 V

YTS2222ATE85L相似产品对比

YTS2222ATE85L YTS2222ATE85R
描述 TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal
Objectid 1407711683 1407711686
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A
基于收集器的最大容量 8 pF 8 pF
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码 TO-236 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz
最大关闭时间(toff) 285 ns 285 ns
最大开启时间(吨) 35 ns 35 ns
VCEsat-Max 1 V 1 V
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