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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> FMMT918
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FMMT918

产品描述UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小47KB，共1页
制造商ETC2
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FMMT918概述

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

超高频波段, 硅, NPN, 射频小信号晶体管

FMMT918规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流0.1000 A
最大集电极发射极电压15 V
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE 锡
端子位置双
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料硅
最大环境功耗0.3300 W
晶体管类型射频小信号
最高频带ULTRA 高 频率 波段
额定交叉频率600 MHz
最大集电极基极电容3 pF

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
VHF/UHF TRANSISTOR
ISSUE 2 – JANUARY 1996
PARTMARKING DETAILS –
3B
FMMT918
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition Frequency
Output Capacitance
Input Capacitance
Noise Figure
Common Emitter
Power Gain
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
MIN.
30
15
3
0.05
0.4
1.0
20
600
3.0
1.7
1.6
6.0
15
MHz
pF
pF
pF
dB
dB
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
TYP.
MAX.
VALUE
30
15
3
100
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
µ
A
SOT23
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
CONDITIONS.
I
C
=1
µ
A, I
E
=0
I
C
=3mA, I
B
=0*
I
E
=10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=3mA, V
CE
=1V
I
C
=4mA, V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
=0V, f=1MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
V
EB
=0.5V,f=1MHz
V
CE
=6V, I
C
=1mA
f=60MHz, R
G
=400
Ω
V
CB
=12V, I
C
=6mA
f=200MHz
Collector Cut-Off Current I
CBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
f
T
C
obo
C
ibo
N
G
pe
V
V
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
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FMMT918相似产品对比

FMMT918 FMMT918TA
描述 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3
晶体管极性 NPN NPN
最大集电极电流 0.1000 A 0.1000 A
最大集电极发射极电压 15 V 15 V
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 TRANSFERRED TRANSFERRED
包装形状 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子涂层 MATTE 锡 MATTE 锡
端子位置 双 双
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的
元件数量 1 1
晶体管应用 放大器 放大器
晶体管元件材料 硅 硅
最大环境功耗 0.3300 W 0.3300 W
晶体管类型 射频小信号 射频小信号
最高频带 ULTRA 高 频率 波段 ULTRA 高 频率 波段
额定交叉频率 600 MHz 600 MHz
最大集电极基极电容 3 pF 3 pF

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