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CWDM3011P

产品描述SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CWDM3011P概述

SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET

CWDM3011P规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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