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T12N800UOB

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 800V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小424KB,共4页
制造商Telefunken Semiconductor GmbH & Co Kg
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T12N800UOB概述

Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 800V V(DRM),

T12N800UOB规格参数

参数名称属性值
Objectid101734844
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间60 µs
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流50 mA
最大直流栅极触发电压2 V
最大维持电流100 mA
最大漏电流5 mA
通态非重复峰值电流200 A
最大通态电压2.8 V
最大通态电流12000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压800 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

T12N800UOB相似产品对比

T12N800UOB T12N800COC T12N600UOE
描述 Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 800V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 800V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 15000mA I(T), 600V V(DRM),
Objectid 101734844 101734841 101734831
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 60 µs 60 µs 60 µs
关态电压最小值的临界上升速率 50 V/us 400 V/us 200 V/us
最大直流栅极触发电流 50 mA 50 mA 40 mA
最大直流栅极触发电压 2 V 2 V 2 V
最大维持电流 100 mA 100 mA 100 mA
最大漏电流 5 mA 5 mA 5 mA
通态非重复峰值电流 200 A 200 A 220 A
最大通态电压 2.8 V 2.8 V 2.8 V
最大通态电流 12000 A 12000 A 15000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 800 V 800 V 600 V
表面贴装 NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR

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