Silicon Controlled Rectifier, 210000mA I(T), 700V V(DRM),
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 101738348 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 200 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 400 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 150 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.4 V |
最大维持电流 | 200 mA |
最大漏电流 | 30 mA |
通态非重复峰值电流 | 5500 A |
最大通态电压 | 1.4 V |
最大通态电流 | 210000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 700 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
T210N07VOC | T210N02VOF | T210N07VOF | T210N04WOC | |
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描述 | Silicon Controlled Rectifier, 210000mA I(T), 700V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 210000mA I(T), 200V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 210000mA I(T), 700V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 210000mA I(T), 400V V(DRM), |
Objectid | 101738348 | 101738331 | 101738349 | 101738338 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 200 µs | 200 µs | 200 µs | 200 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 400 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | 400 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 150 mA | 150 mA | 150 mA | 150 mA |
最大直流栅极触发电压 | 1.4 V | 1.4 V | 1.4 V | 1.4 V |
最大维持电流 | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA |
最大漏电流 | 30 mA | 30 mA | 30 mA | 30 mA |
通态非重复峰值电流 | 5500 A | 5500 A | 5500 A | 5500 A |
最大通态电压 | 1.4 V | 1.4 V | 1.4 V | 1.4 V |
最大通态电流 | 210000 A | 210000 A | 210000 A | 210000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 700 V | 200 V | 700 V | 400 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR |
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