1N4148W, 1N4448W
1N4148W, 1N4448W
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2014-01-15
Power dissipation – Verlustleistung
1 .1
±0.1
0 .1 2
2.7
±0.1
400 mW
75 V
~SOD-123
0.01 g
Repetitive peak reverse voltage
eriodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
0.6
±0.1
3.8
±0.2
1 .6
±0.1
Type
Code
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
toßstrom-Grenzwert
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
P
tot
I
FAV
I
FRM
I
FSM
I
FSM
V
RRM
V
RSM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
1N4148W, 1N4448W
400 mW
1
)
150 mA
1
)
300 mA
1
)
500 mA
1
)
2A
75 V
100 V
-55...+150°C
-55…+150°C
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (T
j
= 25°C)
Forward voltage
urchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
2
)
Leakage current – Sperrstrom, T
j
= 125°C
2
)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
ärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
Kennwerte (T
j
= 25°C)
1N4148W
1N4448W
I
F
= 10 mA
I
F
= 5 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
F
V
F
F
< 1.0 V
0.62...0.72 V
1V
< 25 nA
5 µA
< 30 µA
50 µA
4 pF
< 4 ns
< 400 K/W
1
)
I
R
I
R
I
R
I
R
C
T
T
rr
R
thA
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
1N4148W, 1N4448W
Marking – Stempelung
These diodes are also available in other case styles
Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar
1N4148W = W1 / T4 / T6
1
)
1N4448W = T5 / W1
1
)
DO-35
MiniMELF
Q-MiniMELF
Q-MicroMelf
~SOD-323
=
=
=
=
=
1N4148
LL4148
LS4148
MCL4148
1N4148WS
120
[%]
100
1
[A]
10
-1
80
T
j
= 125°C
60
10
-2
40
10
-3
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
I
F
10
-4
T
j
= 25°C
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Power dissipation versus ambient temperature
1
)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
1
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Alternatively used. The complete part number is given on the package label.
Alternativ verwendet. Die vollständige Artikel-Nr. ist auf dem Verpackungsetikett angegeben.
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
