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1N4006GP

产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
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1N4006GP概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1N4006GP规格参数

参数名称属性值
厂商名称DIOTEC
包装说明DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AC
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N4001GP ... 1N4007GP
1N4001GP ... 1N4007GP
Glass Passivated Silicon Rectifier Diodes
Glaspassivierte Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-02-20
Nominal current
Nennstrom
Ø 2.6
±0.1
1A
50...1000 V
~DO-41
~DO-204AC
0.4 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5
-4.5
+0.5
Type
Ø 0.77
±0.07
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
1N4001GP
1N4002GP
1N4003GP
1N4004GP
1N4005GP
1N4006GP
1N4007GP
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
5.1
-0.1
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
A
= 75°C
T
A
= 100°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
1 A
1
)
0.8 A
1
)
5.4 A
1
)
27/30 A
3.6 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1

1N4006GP相似产品对比

1N4006GP 1N4002GP 1N4007GP 1N4001GP 1N4003GP 1N4004GP
描述 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
厂商名称 DIOTEC DIOTEC DIOTEC DIOTEC DIOTEC DIOTEC
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
包装说明 DO-41, 2 PIN O-PALF-W2 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED - ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-204AC DO-204AC DO-204AC - DO-204AC DO-204AC
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1 - 1 1
端子数量 2 2 2 - 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C - 175 °C 175 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C -50 °C - -50 °C -50 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A - 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND - ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM - LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 800 V 100 V 1000 V - 200 V 400 V
最大反向恢复时间 2 µs 1.5 µs 1.5 µs - 2 µs 1.5 µs
表面贴装 NO NO NO - NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE - WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL - AXIAL AXIAL
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 符合
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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