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FMMTA14

产品描述DIODES INC. - FMMTA14TA - DARLINGTON TRANSISTOR; NPN; 40V; SOT-23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小37KB,共1页
制造商ETC2
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FMMTA14概述

DIODES INC. - FMMTA14TA - DARLINGTON TRANSISTOR; NPN; 40V; SOT-23

DIODES INC. - FMMTA14TA - 达林顿 晶体管; NPN; 40V; SOT-23

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FMMTA12 Not Recommended for New
Design Please Use FMMTA14
SOT23 NPN SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 4 - DECEMBER 1996
COMPLEMENTARY TYPES -
FMMTA12 – NONE
FMMTA13 – FMMTA63
FMMTA14 – FMMTA64
FMMTA12
FMMTA13
FMMTA14
C
B
E
PARTMARKING DETAILS –
FMMTA12 – 3W
FMMTA13 – 1M
FMMTA14 – 1N
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
20
10
300
330
-55 to +150
FMMTA12
FMMTA13/14
40
40
40
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
UNIT
V
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
20
40
100
100
100
100
20K
5K
10K
10K
20K
1.0
0.9
1.4
2.0
V
V
V
V
MAX.
UNIT
V
V
nA
nA
nA
nA
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A, I
B
=0*
I
C
=100
µ
A, I
B
=0*
V
CB
=15V, V
BE
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=10V, I
C
=0
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=10mA, I
B
=0.01mA
I
C
=100mA, I
B
=0.1mA
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA,V
CE
=5V*
Collector-Emitter
FMMTA12
V
(BR)CES
Breakdown Voltage FMMTA13/14
Collector Cut-Off
Current
Collector Cut-Off
Current
FMMTA12
I
CES
FMMTA12
I
CBO
FMMTA13/14
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-Off Current
Static Forward
Current Transfer
Ratio
FMMTA12
FMMTA13
FMMTA13
FMMTA14
FMMTA14
Collector-Emitter
FMMTA12
V
CE(sat)
Saturation Voltage FMMTA13/14
Base-Emitter
On Voltage
FMMTA12
V
BE(on)
FMMTA13/14
*Measured under pulsed conditions. Pulse width =300
µ
s. Duty cycle
2%
Spice parameter data is available upon request for these devices
For typical graphs see FMMT38A datasheet

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